PR

 22nm世代(ハーフ・ピッチ32nm)のデバイス開発に向けた次世代露光技術の競争が火ぶたを切った。ここで競い合うのは,DPT(double patterning technology),SA(self align)-DPT,EUV(extreme ultraviolet)露光である。量産導入が最も早いNAND型フラッシュ・メモリー向けの有力候補は,DPTとSA-DPTと見られる。いずれも45nm/32nmで主流となるArF液浸露光技術をベースにし,2回露光によって技術的課題を回避する。ロジックLSI向けには,EUV露光が本命視されている。これら最新技術の動向を追った。

この記事は会員登録で続きをご覧いただけます

日経クロステック登録会員になると…

新着が分かるメールマガジンが届く
キーワード登録、連載フォローが便利

さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
有料会員と登録会員の違い

登録会員(無料)が読めるお薦め記事


日経クロステックからのお薦め

日経BPで働きませんか

日経BPで働きませんか

「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。

日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。

Webシステムの開発・運用(医療事業分野)

システム開発エンジニア(自社データを活用した事業・DX推進)

システム開発エンジニア(契約管理・課金決済システム/ECサイト)