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 「2007 IEDM」では,CMOSの駆動力向上技術として,ひずみSiや(110)面利用などの既存技術を最適化する方向性と,GeやIII-V族半導体などチャネル材料の置き換えを狙う方向性に関して,それぞれ多数の講演が予定されている。会期初日の午後は,このうちの前者である,ひずみ印加技術と(110)面を用いる技術に関する発表が行われた。

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