米Lucent Technologies Inc.とシリコン・ファウンダリのシンガポールChartered Semiconductor Manufacturing, Inc.は，0.18μmと0.16μmのCMOS技術向けの配線技術を共同で開発していくと発表した（リリース文）。対象となるのは，Al配線やCu配線の技術。低誘電性層間絶縁膜（low-k）の技術も含まれる。両社は，1999年第4四半期までに同技術を適用した試作品の完成を目指す。
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