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米Lucent Technologies Inc.とシリコン・ファウンダリのシンガポールChartered Semiconductor Manufacturing, Inc.は,0.18μmと0.16μmのCMOS技術向けの配線技術を共同で開発していくと発表した(リリース文)。対象となるのは,Al配線やCu配線の技術。低誘電性層間絶縁膜(low-k)の技術も含まれる。両社は,1999年第4四半期までに同技術を適用した試作品の完成を目指す。

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