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 米MoSys, Inc.は,米LSI Logic Corp.がMoSys社の1トランジスタ・メモリ・セルのライセンスを取得したと発表した(リリース文)。MoSys社によれば,LSI Logic社は埋め込みDRAMの代わりに今回の技術を使うことで,通常の論理LSI向けプロセスで大容量メモリ・ブロックを実現できるという。「通信向けLSIにおける,数Mビットの埋め込みメモリ・ブロックとして使いたい」(LSI Logic社のVice President and General Manager of Networking Product DivisionのJordan Plofsky氏)。