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 MEMS製造装置市場のけん引役として期待されるSi貫通電極形成向けで,ついに業界再編の動きが出てきた。エッチング装置メーカーの米Tegal Corp.が,仏Alcatel Micro Machining Systems社(AMMS)のSi深掘りエッチング装置,プラズマCVD装置の事業と知的財産を取得する(発表資料)。Tegalの狙いは,Si貫通電極向けに事業と技術を拡充することにある。TegalはAMMSの事業,顧客を引き継ぐとともに,300mmウエーハ対応のSi深掘りエッチング向けチャンバの開発を継続することを強調している。
 
 TegalとAMMS, AMMSの親会社である仏Alcatel-Lucent社が合意した事業買収の概要は以下の通りである。Tegalは,AMMSのウエーハ・レベル・パッケージングによる3次元積層向けにSi深掘りエッチング装置,プラズマCVD装置の事業と知的財産を取得する。今回の事業取得に伴い,TegalはAMMSに現金100万米ドルと,400万米ドル分のTegalの新規発行株式を支払う。また,AMMS社長のGilbert Bellini氏は,Tegalの取締役に就任する。事業や知的財産の移管手続きは,9月16日までに完了する。
 
 今回の事業買収の背景には,Si貫通電極を半導体に適用する動きに伴い,MEMS向けのSi深掘りエッチング装置メーカーと半導体向けのエッチング装置メーカーが,同じ用途で競争する状況になりつつあることがある。

 MEMS向けにSi深掘りエッチング装置を販売してきたメーカーは,300mmウエーハ対応,24時間稼動など半導体生産ラインで要求される大口径化,高安定・信頼性化を実現するための開発に注力している。例えば, Si深掘りエッチング装置の最大手である英Surface Technology Systems plc(STS)が300mmウエーハ対応の開発成果を積極的に公開している(関連記事)。一方,半導体向けのエッチング装置メーカーは,生産性や信頼性で定評のある半導体向けエッチング装置をベースに,Si深掘りエッチング技術を実現することで攻勢を強めてきている(関連記事)。