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600V耐圧のパワーMOSFET「DTMOS II」
600V耐圧のパワーMOSFET「DTMOS II」
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 米Toshiba America Electronic Components, Inc.は,600V耐圧でスーパージャンクション構造を採用したパワーMOSFETの新製品「DTMOS II」を発表した(発表資料)。耐圧を犠牲にすることなくオン抵抗を下げられる。オン抵抗とゲート入力電荷量を掛け合わせた値(Ron×Qg)が同社従来製品と比較して68%低減したという。パソコンのACアダプタや薄型テレビなどに向ける。

 定格ドレイン電流が20A,15A,12AのMOSFETを4種類のパッケージで計12製品用意する。パッケージはTO-3PとTO-220SIS,TO-220,TFPがある。最大オン抵抗は20A品が0.19Ω,15A品が0.3Ω,12A品が0.4Ω。

 いずれもサンプル出荷中である。サンプル価格は1.3米ドルから。定格ドレイン電流が15AのTO-3PとTO-220SIS,TO-220のパッケージ品が量産中である。そのほかの製品は2008年10月までに量産を開始する。