今回のCEATECに登場した数々の部品の中でも特に目を引いたのが，入力系デバイスに代表されるセンサである。ユーザー・インタフェースの良しあしが機器の付加価値を大きく左右するようになってきた。こうした流れをとらえ，多くのLSIメーカーや部品メーカーが，入力を担うセンサなどの展示に力を入れた。これに比べると，プロセサやメモリといった処理/記憶系デバイスの進歩は成熟しつつある。
ロームは，広帯域かつ高感度の「薄膜積層イメージ・センサ」を参考出品した。太陽電池向けに使われ始めたCIGS（Cu-In-Ga-Se）系のフォトダイオードを，処理回路を集積したLSI上に形成した。可視光に加えて赤外線領域にも高い感度を持つ。 （画像のクリックで拡大）
東芝は，Si貫通技術を使った小型カメラ・モジュール「CSCM（chip scale camera module」を開発した。ワイヤ・ボンディングが不要になるため，体積を従来の約64％に小型化できた。携帯電話機向けに2008年1月から量産する。 （画像のクリックで拡大）
伊仏STMicroelectronics社は，加速度のほか，機器の筐体を指でたたくタッピングやダブル・タッピングを検出して信号を出力する3軸加速度センサを製品化した。外形寸法は3×3×0.9mm3と小さい。2007年第4四半期から量産する。 （画像のクリックで拡大）
太陽誘電は，検出感度が1ppbのガス・センサを開発した。ガスの吸着によって誘電体膜の抵抗値が変化することを利用する。半導体製造装置内の残留酸素を測定する用途などを想定する。2009年のサンプル出荷を目指す。 （画像のクリックで拡大）
日立マクセルは，ホログラフィック記録技術を採用した再生専用媒体「H-ROM」の再生デモを公開した。ただし，媒体の容量およびデータ転送速度は非公開。開発の目標は容量4Gバイト，データ転送速度16Mビット/秒である。 （画像のクリックで拡大）
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