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 米International Rectifier Corp.(IR社)は,GaN半導体を使ったパワー・デバイスの技術プラットフォームを開発した(発表資料)。このプラットフォームで作製したパワー・デバイスを,AC-DCコンバータやDC-DCコンバータ,モータ駆動回路,照明器具,大出力のオーディオ機器,車載機器などに向けて展開していく考えである。GaN半導体を使ったパワー・デバイスはオン抵抗を低く抑えながら耐圧を高くできるのが特徴であり,高電圧を取り扱う回路の小型化や高効率化に効果があるという。同社は,2008年11月11~14日にドイツのミュンヘンで開催される「electronica 2008」に,GaN半導体によるパワー・デバイスの試作品を出展する予定。このほか,「Digital Power Forum ‘08」(2008年9月15~17日,米国サンフランシスコで開催),「Embedded Power Conference 2008」(同17~18日,米国サンノゼで開催),「International Workshop on Power Supply On A Chip」(同22~24日,アイルランド・コークで開催)でもプラットフォームを紹介するという。

 今回の技術プラットフォームでは,Si基板上にGaNをエピタキシャル成長させた基板を利用する。基板の口径は150mm(6インチ)。Siを使う既存のパワー・デバイスの製造ラインで今回の基板を取り扱えるので,デバイスの製造コストを低く抑えられるという。IR社は,プラットフォームの研究開発に5年を要したとする。