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 京都大学のグループは,耐圧1580Vで,オン抵抗を40 mΩcm2に抑えた横型MOSFETを試作,SiCの国際学会「7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM)」で発表した(講演番号:WeP-61)。横型として非常に小さいオン抵抗である。

 京都大学のグループは以前から横型MOSFETの試作を続けている。従来の試作品に比べ,オン抵抗は小さくなり,かつ耐圧は向上した。従来品は耐圧1300V,オン抵抗は70 mΩcm2だった。しきい値電圧は2.8V,チップ・サイズは300μm角と,今回の横型MOSFETと従来品は同じである。