PR

 ロームは,SiCの国際学会「7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM)」で,耐圧790Vでオン抵抗が1.7mΩcm2と低いSiC製のトレンチ型MOSFETを発表した(講演番号:WeP-59)。チップ・サイズは0.5mm角である。

 トレンチ型MOSFETでは,低抵抗品だけでなく,高出力品についても発表した。ゲート電圧が20V,ソースードレイン間電圧が5Vの時に,ドレイン電流は100A(電流密度は1200A/cm2)以上とする。耐圧は900Vで,チップ面積は3mm角である。