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 米Dow Corning Corp.は,マイクロパイプ密度を1~5個/cm2まで低減した3インチ4H-SiC基板を2008年第2四半期から発売する。SiCの国際学会「7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM)」で発表した。同社従来品のマイクロパイプの密度は,「約10個/cm2」(会場内の説明員)だった。基板だけでなくエピタキシャル層を設けた製品も販売する予定である。

 マイクロパイプを除く,転位などの欠陥密度は,数千個/cm2ほど。今後は3インチ品だけでなく,4インチ品も手がける。2008年末にサンプル出荷する。このほか,高周波デバイス向けに半絶縁タイプのSiC基板を2009年初頭に販売する予定である。