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 米IBM Corp.とNECエレクトロニクスは,次世代半導体プロセス技術を共同開発することで合意し,共同開発契約を締結した。この合意に基づき,NECエレクトロニクスは,IBM社や東芝を含む半導体共同開発グループが実施している32nm世代の基幹CMOSプロセスの共同開発プロジェクトと将来の先端プロセスの要素技術研究プロジェクトに参加する。NECエレクトロニクスは,次世代Si技術の性能向上と消費電力削減に向けたIBM社の共同開発アライアンスに加わる8社目の半導体メーカーとなる。他の7社は,シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing社,米Freescale Semiconductor社,ドイツInfineon Technologies社,韓国Samsung Electronics社,伊仏合弁STMicroelectronics社,東芝,およびIBM社である。

 共同開発は,米国New York州East FishkillにあるIBM社の最先端300mmウエハー工場,および米国New York州AlbanyにあるNew York州立大学Albany校の研究施設CNSE(College of Nanoscale Science and Engineering)で行われる。

 NECエレクトロニクスは,2005年11月に東芝と45nm世代のCMOSプロセス技術の共同開発に合意し,以降,2007年11月に32nm世代まで共同開発契約を更新するなど,東芝との共同開発を進めてきた。今回は,その東芝も参加するIBM社の共同開発アライアンスに加わったかたちだ。NECエレクトロニクスは,IBM社およびその研究開発パートナーとともに共通プロセス・プラットフォームを構築し,SoCの開発,設計力を強化する考えである。

 NECエレクトロニクス 代表取締役社長の中島俊雄氏は「最先端の半導体分野では,各社が基幹プロセスだけで製品の差異化を図ることは難しくなってきている。当社は,従来の東芝との共同開発に加えて,IBM社との共同開発に直接参加することにより,世界の有力な半導体メーカーと共通のプロセス・プラットフォームを開発することにした。その共通プラットフォームの上で,我々の優位性である混載DRAMプロセスや高信頼,低消費電力などの付加価値を付けたSoCを早期に製品化する」とコメントを寄せている。

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