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 韓国Hynix Semiconductor Inc.は,300mmウエハー工場より生産効率の低い200mmウエハー工場の閉鎖計画を前倒しで進めると発表した(発表資料)。これによって同社は,DRAMとNANDフラッシュ・メモリの生産の大部分を300mmウエハー工場へ移行し,財務状況の安定化や収益性の向上を図る。

 Hynix Semiconductor社は現在,200mmウエハー工場を5つ所有している。韓国のIcheonにある「M7」,韓国のCheongjuにある「M8」と「M9」,米国オレゴン州のEugeneにある「E1」,中国のWuxiにある「HC1」である。Hynix Semiconductor社は,既に「HC1」と「E1」,「M9」の操業を停止することを発表しているが(Tech-On!の関連記事),今回,DRAMのみを生産していたM7の閉鎖を発表した。同工場は,2008年9月末までに閉鎖する予定である。

 最後の200mmウエハー工場となるM8は,当初計画していた生産規模である月産13万枚より規模を縮小して生産する予定。特殊用途向け製品に特化して生産する。この結果,200mmウエハー工場における全生産量は,2009年初めに同社の全生産能力の10%以下まで低下する見込み。2007年末に200mmウエハー工場における生産量が,同社の全生産能力の50%を占めていたのと比べると,大幅な低下となる。

 200mmウエハー工場を閉鎖することによって,2009年初めまでの同社の生産能力は,2008年第2四半期末に比べると30%減少する。DRAMの生産能力は20%,NANDフラッシュ・メモリの生産能力は40%,それぞれ減少する。

 Hynix Semiconductor社は,200mmウエハー工場から300mmウエハー工場に生産を移行することによって,技術の先行性やコスト競争力を向上させ,大手企業としての地位の強化を図るとしている。