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アルプス電気は,フォトニック結晶構造を採用して光束を約42%高めたGaN系LEDを開発し,「ALPS SHOW 2008」(2008年9月25~26日)に出展した。発光波長は510.7nmと,やや青みがかった緑色である。LEDの表面全体に,直径800nm,深さ750nmの穴を1000nmピッチで配置し,フォトニック結晶構造を形成している。順方向電流20mA,電圧+3.8V印加時の光束は1.41lmである。フォトニック結晶構造を設けない場合は同じ印加条件で0.99lmだった。LEDのチップ寸法は幅0.35mm×長さ0.7mm×厚さ0.1mm。この中でフォトニック結晶の領域は0.2mm×0.2mmである。

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