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 産業技術総合研究所(産総研)とシャープは,低消費電力と高速動作を両立した不揮発性の抵抗変化メモリ素子(ReRAM:resistance random access memory)を開発した。抵抗変化を定量的に制御する手法も開発した。今回,貴金属の電極を用いずに安定した動作を実現したことと,ReRAMの製造技術が現在の半導体製造プロセスとの整合性が高いことから,製品化するときに容量あたりのコストを抑えられるとする。

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