PR

 中国Semiconductor Manufacturing International Corp.(SMIC)は,0.11μm世代のCMOSイメージ・センサ向けプロセス技術を開発した(発表資料)。0.11μmのプロセス技術は,配線層に使用する金属としてアルミニウム(Al)と銅(Cu)の両方に対応。同社は既に0.11μmプロセス技術でのパイロット生産を開始しており,200mmおよび300mmのウエハーでの製造が可能だという。

 SMIC社は,「開発したプロセス技術によって,これまで以上の高解像度や低ノイズ,高コントラスト比のCMOSセンサを実現できる」としている。