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東芝は,43nm世代のプロセスで製造する2値(single-level cell)技術を用いたNANDフラッシュ・メモリ16品種を製品化し,2009年第1四半期(1~3月)から順次量産を開始する。各品種の容量は512M~64Gビット。容量の多い64Gビット,32Gビット,16Gビット品などから順に量産する。

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