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図1●UVナノインプリントで形成した12.1型WXGA液晶パネル。日経マイクロデバイスが撮影。
図1●UVナノインプリントで形成した12.1型WXGA液晶パネル。日経マイクロデバイスが撮影。
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図2●Samsungが採用したUVナノインプリント・プロセス。日経マイクロデバイスが撮影。
図2●Samsungが採用したUVナノインプリント・プロセス。日経マイクロデバイスが撮影。
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図3●ゲート層を形成済みのガラス基板。日経マイクロデバイスが撮影。
図3●ゲート層を形成済みのガラス基板。日経マイクロデバイスが撮影。
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図4●TFTを形成済みのガラス基板。日経マイクロデバイスが撮影。
図4●TFTを形成済みのガラス基板。日経マイクロデバイスが撮影。
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 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が,「FPD International 2008」(10月29日~31日,パシフィコ横浜)において,TFT工程のすべてをナノインプリントで形成した液晶パネルの試作品を公開した。試作した液晶パネルは12.1型で,画素数は1280×800のWXGAである(図1)。樹脂製のモールドを使ったUV(紫外線)ナノインプリント技術で作成した。

 同社が採用したUVナノインプリントの製造プロセスは,以下の通りである(図2)。(1)ガラス基板上に形成する構造体の材料を塗布し,その上にUV硬化樹脂を塗布する。(2)樹脂製のモールドをUV硬化樹脂に押し付け,モールドの上からUV光を照射して,UV硬化樹脂にモールドのパターンを転写する。(3)樹脂製モールドをUV硬化樹脂から剥離する。(4)UV硬化樹脂をマスクに使い,構造体となる材料をエッチングする。(5)エッチング後に残った樹脂を除去する。この一連のプロセスを反復し,TFTを形成する(図3,図4)。

 各種のナノインプリント技術の中からUVナノインプリントを選択した理由として,「大面積化に向くこと」,「高解像度化が可能なこと」,「製造コストの低コスト化が容易なこと」の三つを,同社は挙げる。例えば,熱ナノインプリントを採用した場合,大面積化するほど面内の温度均一性の確保が難しく,さらに樹脂の熱膨張・収縮の影響が大きくなってしまうという問題がある。

 開発したUVナノインプリント・プロセスでは,最小で線幅2~3μmのパターンを転写できる。モールドの原版レベルでは,最小線幅1μmとしており,転写用の樹脂モールドを製造する際の精度に向上の余地が大きいようである。

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