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 三洋半導体は2009年1月22日,面積を従来品より約60%削減したキセノン・フラッシュ用IGBT「TIG058E8」を開発したと発表した。主に携帯電話機のカメラ機能に向ける。コンデンサに蓄えた電力をIGBTのスイッチングにより瞬時に開放し,キセノン管を発光させる。外形寸法は2.8mm×2.9mm×0.9mmで,質量は0.02g。これで,従来品と同等の電圧400Vで150Aの電流をスイッチングできる。サンプル価格は250円。2009年5月ごろに月産300万個の生産体制とする計画である。

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