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ロームの,Super Junction構造を採用しながら,内部ダイオードの逆回復時間(t<sub>rr</sub>)を短くした高耐圧のMOSFET「Fシリーズ」
ロームの,Super Junction構造を採用しながら,内部ダイオードの逆回復時間(t<sub>rr</sub>)を短くした高耐圧のMOSFET「Fシリーズ」
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 ロームは,Super Junction構造を採用しながら,内部ダイオードの逆回復時間(trr)を短くした高耐圧のMOSFET「Fシリーズ」を発売する(発表資料)。素子内部に局所的なトラップ・レベルを形成することで,通常のSuper Junction構造品のtrrが160nsであるのに比べて,今回の製品は70nsと,約60%短縮したとする。液晶テレビのバックライト用インバータ回路や,照明用インバータ回路,モータ駆動回路,スイッチング電源などに向ける。

 Super Junction構造のMOSFETは,プレーナ構造の品に比べてスイッチングは高速だが,trrが大きい(長い)という性質があるという。このため,MOSFETの内部ダイオードに回生電流を流すブリッジ回路などに使用する場合,高周波への追従性を上げるため,ファスト・リカバリ・ダイオード(FRD)をドレイン‐ソース間に並列に入れる必要があった。trrを小さく(短く)するために,トラップ・レベルを素子内部に形成する方法があるが,Super Junction構造品では従来,トラップ・レベルの形成が困難だったという。今回の製品はFRDを使うことなくブリッジ回路に使用できるとする。これにより,部品点数を削減し,基板面積を低減できる。

 ドレイン‐ソース間オン抵抗とゲート‐ドレイン間電荷量の積(RDS(on)×Qgd)は7.3Ω/nCで,高速なスイッチングに対応する。オン抵抗は4.3Ω/mm2と低い。2009年2月にサンプル出荷を開始する。サンプル価格は300円。2009年4月に月産100万個規模の量産に移行する予定である。