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 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,線幅が40nm台のプロセス技術を用いた1GビットDDR2 DRAMチップおよびモジュールの開発に成功し,動作を確認したと発表した(発表資料)。今回開発したのは,×8ビット構成の1GビットDDR2 DRAMチップと,それを使ったデータ転送速度が800Mビット/秒の1GバイトDDR2 SODIMM(small outline DIMM)。いずれも,米Intel Corp.の携帯機器向けチップセット「GM45 Express」と一緒に利用することを想定したIntel社の「Platform Validation program」の認証を受けているという。

 Samsung Electronics社は,今回開発した40nm世代のプロセス技術を2GビットDDR3 DRAMの量産に適用する計画。2009年末までには量産を開始する予定である。

 同社によれば,40nm世代のプロセス技術へ移行することによって,50nm世代品に比べて電圧を大幅に低減できるため,消費電力を30%程度削減できるという。さらに,50nm世代品に比べて生産性を約60%向上できるとする。40nm世代のプロセス技術は,DDR4方式のような超高性能技術を開発するための重要なステップになるとしている。