PR
4/1朝まで
どなたでも有料記事が読み放題「無料開放デー」開催中!

 ドイツQimonda AGは,46nm世代のプロセス技術に基づくDDR3方式の2GビットDRAMを搭載した,実際に利用できるメモリ・モジュールを製造したと発表した(発表資料)。DRAMのセル構造として,トレンチ型のノウハウを採り入れたスタック型DRAM技術である「Buried Wordline(埋め込みワード線)」技術を採用している。ダイの面積は55mm2であり,「DRAM業界でこれまでに発表された中で最小の2Gビット・メモリ」(Qimonda社)と主張する。

 46nm世代のプロセス技術で製造すると,75nm世代の技術で製造した場合に比べて,ウエハー当たりのチップ取得数が3倍になるという。同時に,消費電力を最大75%削減することが期待できるとする。Qimonda社は2008年11月に,このメモリ・チップの初期生産に成功したと発表している(Tech-On!関連記事)。同社はもともと,このメモリ・チップの商業生産を2009年中頃までに始める予定だった。現在「この予定を実現するために金融パートナーを捜している」(Qimonda社)とする。

 Qimonda社によれば,継続可能な事業がQimonda社によって維持されるか,新たな投資家が所有する新しい企業に位置付けられるか,という最終的な決定は下されていないとする。「後者の場合や,Qimonda社の事業の継続に融資する投資家が見つからなかった場合は,Qimonda社は整理されることになるだろう」(Qimonda社)としている。