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Intel社がデモした32nmプロセスのマイクロプロセサ。Intel社の提供による
Intel社がデモした32nmプロセスのマイクロプロセサ。Intel社の提供による
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 米Intel Corp.は2009年2月10日,32nm製造プロセスで開発したマイクロプロセサを公開し,2009年内の量産に向け順調ぶりをアピールした。デモで見せたものはデスクトップ・パソコンおよびノート・パソコン向けの主力製品向けで,それぞれ「Clarkdale」と「Arrandale」という開発コード名が与えられている(Tech-On!関連記事)。

 32nmの製造プロセスには,45nmと同様にHigh-k金属ゲートを採用している。一部の重要な層のリソグラフィには液浸を使っている。トランジスタのゲート間は112.5nmで,「今まで公開されている情報からすると,32nmのプロセスとしては最もゲート間が狭い」(Senior Fellow,Logic TechnologyのMark Bohr氏)。32nmプロセスのnMOSではオン電流が14%増え,オフ電流が1/5以下になり,pMOSではオン電流が22%増,オフ電流が1/10以下となったという。「歩留まりの向上は2年前の45nmプロセスの場合とほぼ同等の進展を見せており,2009年第4四半期の生産に向け順調に進んでいる」(Bohr氏)と説明した。

 これに伴い,Intel社は2009年内に70億ドルを投じて32nmプロセスの製造ラインを立ち上げると発表した。New Mexico,Oregon,Arizonaの3工場に32nmの製造ラインを設置する。2009年内にOregonのD1DおよびD1Cの製造ラインを設置。ArizonaのFab32およびNew MexicoのFab 11Xは2010年となる。