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米RF Micro Devices社の単極2接点(SPDT:single-pole double-throw)のRFスイッチ「RF1126」
米RF Micro Devices社の単極2接点(SPDT:single-pole double-throw)のRFスイッチ「RF1126」
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米RF Micro Devices社の単極3接点(SP3T:single-pole three-throw)のRFスイッチ「RF1131」
米RF Micro Devices社の単極3接点(SP3T:single-pole three-throw)のRFスイッチ「RF1131」
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 米RF Micro Devices, Inc.(RFMD社)は,RFスイッチの品ぞろえを拡充し,「RF1126/RF1131/RF1132」の3品種を発表した(発表資料)。RF1126は単極2接点(SPDT:single-pole double-throw)スイッチ,RF1131/RF1132は単極3接点(SP3T:single-pole three-throw)スイッチである。アンテナ・チューナやCDMA方式の携帯電話機,3G機器などに向ける。

 RF1126は0.6G~2.5GHzの周波数帯域に対応する。挿入損失は入力信号が1GHzのときに0.26dB,同2GHzのときに0.32dBである。パッケージは外形寸法が2.0mm×1.3mm×0.35mmの6端子QFN。

 RF1131とRF1132は端子互換で,いずれも対応する周波数帯域は0.6G~2.5GHz。挿入損失と直線性の特性値が対照的であるという。RF1131の挿入損失は0.32d~0.49dB,直線性を表すIIP3(入力3次インターセプト・ポイント)は800MHz帯で59dBm,1900MHz帯で62dBmである。他方,RF1132の挿入損失は0.47d~0.69dB,IIP3は800MHz帯で65dBm,1900MHz帯で63dBmである。パッケージはいずれも外形寸法が2.0mm×2.0mm×0.55mmの12端子QFN。

 3品種とも,GaAs基板を使った0.5μm世代のpHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)プロセス技術を使って製造する。現在サンプル出荷中。RFMD社は今回の製品を,2009年2月16~19日にスペインのバルセロナで開催される「Mobile World Congress 2009」で展示する。