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 NECは,カーボン・ナノチューブ(CNT)を用いたトランジスタのすべての構成要素を印刷プロセスで形成する技術を開発したと発表した。同社は2008年2月にもCNTトランジスタの作製技術について発表しているが,当時はチャネル層だけに印刷プロセスを用いていた(関連記事)。今回の成果は,2009年2月18~20日に開催する「国際ナノテクノロジー総合展(nano tech 2009)」(東京ビッグサイト)で展示する。

 NECが今回開発したのは,電極,絶縁膜,CNTチャネルなどトランジスタのすべての構成要素を印刷プロセスで形成する技術。絶縁用や金属用インクを最適化することで,トランジスタの各層間の侵食耐性や描画特性などを確保したとする。しかも,製造時の温度は200℃以下と低く,高温に弱い樹脂基板の利用も可能になった。

 作製したCNTトランジスタはp型の導電性を備え,オン・オフ比は約1000だったという。