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 東芝は,次世代照明用LEDに向けて開発中の近紫外LEDを,「nano tech 2009 国際ナノテクノロジー総合展」(2009年2月18~20日,東京ビッグサイト)に展示した。外部量子効率は36%と高い。発光波長は380nm帯である。発光効率を高めるために,GaN結晶の欠陥を抑えて平坦性を高めたとする。

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