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 ニコンのMiura氏は「EUV tool」のセッションで,EUV露光装置の開発状況を報告した。アルファ装置の1号機「EUV1」は半導体先端テクノロジーズ(Selete)で稼働中であり,今回は米Intel Corp.に納入予定の2号機の開発状況を示した。光学系の波面収差を,EUV1での0.6nm(rms)から0.4nm(rms)に向上させている。現在,静止露光へ開発を進めており,解像性能や寸法均一性,フレア特性などを紹介した。

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