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 メモリ大手の韓国Hynix Semiconductor Inc.は2009年第1四半期(1月~3月)の業績を発表した。売上高は前年同期比18%減の1兆3130億ウォン。営業損益は5150億ウォンの赤字で,前期からは改善したが前年同期に比べると悪化した。純損失は1兆1780億ウォンだった。前期に比べて出荷量は落ちたが,DRAM製造における54nmプロセスへの移行が進んだため,赤字幅を縮小できたとHynix社は説明する。

 売上高の内訳はDRAMが76%,NANDフラッシュ・メモリが16%,MCP(multi chip package)などが8%となった。DRAMの出荷量は前期比で2%減少し,平均販売単価も7%低下した。NANDフラッシュ・メモリの出荷量は前期比で4%減少。ただし,平均販売単価は前期比で10%上昇している。