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 韓国Hynix Semiconductor Inc.は,記憶容量が1GビットのDDR2方式モバイルDRAMを開発した。54nm世代のプロセス技術で製造する。1端子当たりの最大データ転送速度は1066Mビット/秒。例えば32ビット幅のバスを利用した場合のチップ全体の最大データ転送速度は4.26Gバイト/秒である。携帯型インターネット端末(MID:mobile internet device)や「ネットブック」と呼ばれる小型ノート・パソコン,ハイエンドのスマートフォンなどに向ける。

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