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 米Novellus Systems, Inc.は,低誘電率(low-k)膜の機械的強度を高める紫外(UV)光照射に伴ってLSIの信頼性が劣化する現象を防ぐ技術を開発した。層間絶縁膜として使うlow-k膜のUV光吸収性を高めることにより,UV光がCu膜と拡散防止用low-k膜の界面にまで浸透し,界面の特性を変化させてエレクトロマイグレーションなどを引き起こすのを防ぐ。32nm世代のLSI配線に向ける。

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