米D2S, Inc.，イー・シャトル，富士通マイクロエレクトロニクスの3社は共同で，電子ビーム（EB）直描向けLSI設計環境「design for e-beam（DFEB）」の効果を，65nm世代のSoC（system on a chip）で実証した。チップの動作速度や面積，消費電力を犠牲にすることなく，EB直描のショット数を従来に比べて1/10以下に削減できた。
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