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 米D2S, Inc.,イー・シャトル,富士通マイクロエレクトロニクスの3社は共同で,電子ビーム(EB)直描向けLSI設計環境「design for e-beam(DFEB)」の効果を,65nm世代のSoC(system on a chip)で実証した。チップの動作速度や面積,消費電力を犠牲にすることなく,EB直描のショット数を従来に比べて1/10以下に削減できた。

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