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 米SanDisk Corp.と韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は2009年5月27日,フラッシュ・メモリの特許ポートフォリオのクロスライセンス契約の更新に関して最終的に合意したと発表した(発表資料)。加えて両社は,Samsung Electronics社がSanDisk社に,フラッシュ・メモリの製造量の一部を供給する契約も締結した。新しい特許クロスライセンス契約と供給契約は,現行の契約が終了する2009年8月14日に発効する。契約期間はいずれも7年間である。

 新しい特許クロスライセンス契約は,多値(multi level cell:MLC)NANDフラッシュ・メモリおよびフラッシュ・メモリを使った記憶装置に関する,両社の幅広い特許の使用権を含む。ただし,特定の3次元メモリ技術に関する特許クレームは含まないという。

 両社は,この契約の財務上の条件は明らかにしていないが,新しい契約に基づけば,固定費用やロイヤリティは,現行の契約における過去数年間の金額のほぼ半分程度になる見込みという。