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SiGe Semiconductor社 President & CEOのSohail Khan氏
SiGe Semiconductor社 President & CEOのSohail Khan氏
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売上高が5年で27倍に
売上高が5年で27倍に
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GaAsに加え,SiGe BiCMOSも手掛ける。図中,「初期生産効率」とは歩留まりを指す。また「インテリジェントRF」とはバイアス制御によって消費電力を削減する技術などを指す。
GaAsに加え,SiGe BiCMOSも手掛ける。図中,「初期生産効率」とは歩留まりを指す。また「インテリジェントRF」とはバイアス制御によって消費電力を削減する技術などを指す。
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IBM社やWIN Semiconductor社にウエハー製造を委託。後工程は中国や台湾の企業に委託している。
IBM社やWIN Semiconductor社にウエハー製造を委託。後工程は中国や台湾の企業に委託している。
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 WiFi向けのRFパワーアンプやRFフロントエンドを手掛けるカナダSiGe Semiconductor, Inc.は2009年5月29日,東京都内で記者会見を開き,同社の事業戦略について説明した。2009年はスマートフォンやネットブックなどのWiFi市場に注力するほか,「世界で70億個の需要があるとされるスマート・メーター向けの技術開発にも力を入れる」(同社 President & CEOのSohail Khan氏)と言う。

 SiGe Semiconductor社はRFパワーアンプやRFフロントエンドに特化した非上場のファブレス企業であり,ここへ来て急成長を遂げている。同社の売上高は,2003年の360万米ドルから2008年には9810万米ドルと,5年で27倍に増えた。年平均成長率は94%/年。2008年のWiFi向けRFフロントエンド市場では世界第1位のシェア30%を獲得している。「今後3年以内に売上高を2008年比2.5倍の2億5000万米ドルに高める」(Khan氏)と言う。

 急成長を遂げた理由として同社は,「ファブレスであること」(Khan氏)を強調している。同社はSiGe BiCMOSおよびSOIチップの製造を米IBM Corp.,HBTの製造を台湾のGaAsファウンドリーであるWIN Semiconductor Corp.にそれぞれ委託している。「自前で製造している競合他社に比べて設備投資が必要ない分,設計技術やIPの開発に集中できる」(同氏)とする。特にファウンドリー各社によるコスト低減努力の恩恵をそのまま享受できる点は大きな利点だという。こうした戦略は「CMOS分野で成功しているファブレス企業をモデルに学んだ」(同氏)という。

 もちろん,SiGe BiCMOSを手掛けるファブレス企業は他社にも存在するが,SiGe Semiconductor社は,「信頼性や歩留まりを改善できる独自の設計技術を蓄積してきた点が強み」(Khan氏)とする。独自の設計フローや自社開発のモデリング・ツールなどを活用している。同社は発足当時,SiGeプロセスの開発を手掛けており,そこで培ったノウハウが現在の設計技術に生かされているという。