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図1 スパッタ・チャンバ。左記,3点が改良部分。図はApplied Materialsの資料。
図1 スパッタ・チャンバ。左記,3点が改良部分。図はApplied Materialsの資料。
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図2 32nm以下の問題点。今回の装置改善で大幅に改善されるという。図はApplied Materialsの資料。
図2 32nm以下の問題点。今回の装置改善で大幅に改善されるという。図はApplied Materialsの資料。
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 LSI配線技術の学会「2009 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC)」が始まった。IITCは国際会議でありながら,これまでは北米サンフランシスコだけで開催されてきた。これは昨今の半導体ビジネス実情に合わなくなってきたため,今回,初めて札幌で開催された。半導体関連業界の世界的な不況の影響を受けて参加者が昨年に比べて大幅に減るのではないかと心配されたが,日本委員会の最低目標である250名を超えた。ホットな分野に対する関心の高さは,不況の有無に大きく左右されるわけではないということだろう。

 今年のIITCでは,2012年以降に実用化すると考えられる22nm世代のテーマが多く見られる。現在の微細化路線の延長線上を進んで行くのか,それとも3次元実装に大きく進むのか,真剣に考える時期に来ているためと考えられる。微細化の前工程分野と実装分野では,前者は清浄化の点で後者より厳しいなどの特徴がある。ただ,最近は半導体の前工程と実装工程を技術的に区別することが難しくなっている。

 最近の事情を反映してか,微細化向けの装置分野で最大手の米Applied Materials,Inc.(AMAT)はIITC 2009に合わせて,PVD装置を2機種(Endura CuBS RFX,およびEndura Charger UBM)をニュース・リリースした。

 前者は,現在の装置に新たな三つの機構を付加(図1)することによって,22nmまで使用できるようにしている(図2)。大手顧客には既に納入しているという。AMATは,この装置をフラッシュ・メモリの製造に応用した講演を行った【講演番号4.2】。

 後者は,UBM(Under Bump Metal)用であり,従来は最先端の装置分野と考えられて来なかった。