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 開催中の「IITC 2009」から,TSV(Si貫通ビア),エア・ギャップ,Cuコンタクトなどの進展が見えてきた。

 TSVは,CMOSイメージ・センサー向けには既に一部で実用化されているが,それは実装によるダイ・ツー・ダイ技術に基づく。これに対して,3次元ロジックLSIなどのためのウエーハ・ツー・ウエーハの微細TSV技術は,これまで実用化までは遠いとみられていた。しかし,ここへ来て微細TSV技術に関して,要素技術に加え,信頼性や設計技術の発表が相次ぎ,実用化に向けた進展が明らかになった【講演番号5.2,5.3,5.4】。

 配線容量の低減は,ますます重要になっており、究極の絶縁材料の候補であるエア・ギャップにおいても、実用化の動きがみられた。初日にパナソニックの藤川氏が行ったキーノート・スピーチでも,配線技術の重要性が示され,性能向上の方法としてエア・ギャップ技術が言及された。さらに台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(TSMC)は,機械強度と合わせズレの問題を解消する,サイド・ウォール・エア・ギャップ構造を報告した。現実的なアプローチだろう【講演番号1.1,2.5,7.22】。

 また,Cuコンタクトを検討するメーカーが増えたことも今回の特徴である。ショート・コースを含めると,合計3機関からの発表があった。Cuの量産における最大の課題は汚染であり,その懸念から今まで敬遠されてきた。ここへ来て,微細化によるCVD-W埋め込みの限界と,Cuバリア技術の進展により,実用化の検討が加速している【講演番号2.1,2.2】。以上は,IITC日本委員会の協力を得て執筆した。