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 住友電気工業が開発した緑色半導体レーザは, GaN基板の半極性面上にGaN系半導体を結晶成長させて作製されている(Tech-On!関連記事)。具体的には,{2021}面を利用する。活性層にはInGaNを利用する。論文誌「Applied Physics Express」に掲載された同社の論文から明らかになった。531nmでパルス発振した場合のしきい値電流は924mA,電流密度に換算すると,15.4kA/cm2。青紫色半導体レーザといった,一般的なInGaN系半導体レーザに比べて大きい。

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