東北大学，磁気抵抗比1056％のMTJ素子を開発

　東北大学は，磁気抵抗（MR）比1056％を示す強磁性トンネル接合（MTJ）素子の開発に成功した。3枚の強磁性膜（CoFeB）と2枚の絶縁膜（MgO）で構成した二重のトンネル障壁の構造を採用し，中間の強磁性膜の厚みを最適化することで実現した。これまでの素子構造を用いたMTJ素子の磁気抵抗比は最高で604％だった。