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 東北大学は,磁気抵抗(MR)比1056%を示す強磁性トンネル接合(MTJ)素子の開発に成功した。3枚の強磁性膜(CoFeB)と2枚の絶縁膜(MgO)で構成した二重のトンネル障壁の構造を採用し,中間の強磁性膜の厚みを最適化することで実現した。これまでの素子構造を用いたMTJ素子の磁気抵抗比は最高で604%だった。

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