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 豊田中央研究所とサンケン電気はそれぞれ,「Naフラックス法」と呼ばれる結晶成長法で作製したGaN基板を利用し,GaN系ダイオードを試作した。サンケン電気はショットキー・バリア・ダイオード(SBD)を,豊田中央研究所はpn接合のダイオードを作製した。この試作品を,2010年2月17~19日まで東京ビッグサイトで開催されている「nano tech2010 国際ナノテクノロジー 総合展・技術会議」に出展した。GaN基板は大阪大学大学院工学研究科 教授の森勇介氏らの研究グループが試作したもの。Naフラックス法で作製されたGaN基板は既に展示されているが,その基板を利用したGaN系素子を展示するのは今回が初めてである。

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