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 米D2S, Inc.は,22nm世代以降のLSI製造に使う露光マスクを従来に比べて低コストで作る手法を「SPIE Advanced Lithography 2010」で発表した。曲線を多く含むOPC(補助)パターンの描画に円形の電子ビームを使うことにより,マスク・パターンの描画に要するショット数を低減する。今回,この手法に必要となるEDAツールとして,OPCパターンを円形ビームのショットに分解(flucturing)するソフトウェアを開発した。マスク描画用EB露光装置を手掛ける日本電子(JEOL)と共同で,このツールの有用性を検証中である。メモリーやロジックLSIの製造において,「既存のArF露光を延命していち早く22nm世代を量産化するための手段となる」(D2S,Chairman&CEOのAki Fujimura氏)。

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