【SPIE】「22nm以降のOPCパターンは円形ビームで描画すべき」，D2Sが提案

　米D2S, Inc.は，22nm世代以降のLSI製造に使う露光マスクを従来に比べて低コストで作る手法を「SPIE Advanced Lithography 2010」で発表した。曲線を多く含むOPC（補助）パターンの描画に円形の電子ビームを使うことにより，マスク・パターンの描画に要するショット数を低減する。今回，この手法に必要となるEDAツールとして，OPCパターンを円形ビームのショットに分解（flucturing）するソフトウェアを開発した。マスク描画用EB露光装置を手掛ける日本電子（JEOL）と共同で，このツールの有用性を検証中である。メモリーやロジックLSIの製造において，「既存のArF露光を延命していち早く22nm世代を量産化するための手段となる」（D2S，Chairman＆CEOのAki Fujimura氏）。