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 ルネサス エレクトロニクスは,ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN:random telegraph noise)が原因で生じるSRAMの誤動作を,観測および実用的な時間内でシミュレーションする手法を開発した。これにより,22nm世代以降といった先端LSIにおけるRTNの影響を精度良く見積り,RTNに対する設計マージンを適切に設定できるようになる。この成果について同社は,「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルル)で発表した(論文番号:18.1)。

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