PR

 トランジスタの製造バラつきに起因するSRAMの動作不安定性を,チップ製造後のテスト工程で改善する手法を,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループと半導体理工学研究センター(STARC)が共同で開発した。0.5Vといった低電圧で動作する論理LSIの実現につながる成果である。SRAMに特定の電圧を適切な手順で印加すると,データの入出力を担う二つのトランジスタの一方に自己選択的に電子が注入され,SRAMの動作安定性を高める方向にしきい値電圧がシフトする現象を利用する。この手法により動作マージンを大きくできることを,65nm世代のSRAMセルで実証した。開発グループは今回の技術の詳細を,「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルル)で発表した(論文番号:4.4)。

この記事は会員登録で続きをご覧いただけます

日経クロステック登録会員になれば
今なら「綱渡りの楽天携帯」「Road to 6G」など
モバイル・通信関連記事が無料で読み放題!
12月22日まで
モバイル・通信関連のお薦め記事一覧

さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
有料会員と登録会員の違い


日経クロステックからのお薦め

IT/電機/自動車/建設/不動産の編集記者を募集します

IT/電機/自動車/建設/不動産の編集記者を募集します

“特等席”から未来づくりの最前線を追う仕事です

あなたの専門知識や経験を生かして、「日経クロステック」の記事や書籍の企画、取材・執筆・編集を担う編集記者(正社員)にトライしませんか。編集の経験は問いません。コミュニケーション能力が高く、企画力や実行力があり、好奇心旺盛な方を求めています。

詳しい情報を見る

日経BPはエンジニアや企画・営業も募集中