米Vishay Intertechnology, Inc.は，オン抵抗を削減した8端子SOP封止のnチャネル・パワーMOSFETを発売した。＋40V耐圧品の「SiR640DP」と，＋60V耐圧品の「SiR662DP」の2品種である。＋60V耐圧品のオン抵抗は，ゲート・ソース間電圧が＋10Vのときに2.7mΩ（最大値），＋4.5Vのときに3.5mΩ（最大値）。＋40V耐圧品は，ゲート・ソース間電圧が＋10Vのときに1.7mΩ（最大値），＋4.5Vのときに2.2mΩ（最大値）である。同社によると，「8端子SOP封止品の中ではオン抵抗が業界で最も低い」という。
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