PR

半導体理工学研究センター(STARC)は,MOS FETの回路シミュレーション用モデル(いわゆるコンパクト・モデル)の比較結果を,48th Design Automation Conference(DAC 2011)のUser Truckのポスター・セッションで発表した。タイトルは「Quality Assurance Methodology of Compact MOSFET Models Including Variability Effects」(講演番号:10U.15)である。

この記事は会員登録で続きをご覧いただけます

日経クロステック登録会員になると…

新着が分かるメールマガジンが届く
キーワード登録、連載フォローが便利

さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
【SE応援割開始】月額プランは8月末まで無料
>>詳しくは


日経クロステックからのお薦め

【SE応援割開始】月額プランが8月末まで無料!
日経BPで働きませんか

日経BPで働きませんか

「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。

日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。

Webシステムの開発・運用(医療事業分野)

システム開発エンジニア(自社データを活用した事業・DX推進)

システム開発エンジニア(契約管理・課金決済システム/ECサイト)