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 Si貫通電極(TSV)を形成したLSIの3次元積層などで必要な、ウエハー表面に形成された金属層同士の常温接合の所要時間を半減する。このような技術を、三菱重工業が「マイクロマシン/MEMS展」(7月13~15日、東京ビッグサイト)に出展した。200mmウエハーに対応する。同社は所要時間を明らかにしていないが、搬送などを除いた接合プロセスそのものに要する時間は、約1分間に短縮されたもようである。

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