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 韓国Samsung Electronics社は、スピン注入磁化反転型MRAM(STT-MRAM)を20nm世代よりも先へ微細化するための要素技術を開発した(講演番号:24.1)。MTJ素子の最小加工寸法を20nmよりも小さくしても、トンネル絶縁膜の酸化プロセスを最適化することによって、高い熱安定性と低い書き込み電流値を両立できることを示した。さらに、これまで報告された中で最小の17nm世代の垂直磁化型MTJ素子の動作を確認した。

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