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 ロームは、オン抵抗が小さいトレンチ型のSiC製MOSFETを新たに試作した。具体的には、耐圧600Vでオン抵抗が0.79mΩcm2の品種と、同1200V で同1.41mΩcm2の品種である。中でも、耐圧600V品で1mΩcm2を下回るのは「世界初」(同社)。今回の開発品のオン抵抗は、従来のSi製MOSFET と比較して1/20 以下、量産化されているSiC製MOSFETと比較して1/7 以下とする。オン抵抗を低減したことで、インバータやコンバータといった電力変換器の電力損失低減につながる。

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