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 エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM(抵抗変化型メモリ)を開発した。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には本格的な量産に移れるだろう」(同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏)とする。

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