田中貴金属工業は、DRAMのキャパシタ電極を従来の6倍の深さまで成膜できるルテニウム（Ru）材料を九州大学大学院 工学研究院 応用化学部門 教授の小江誠司氏と共同開発した。次世代DRAMを開発中の半導体メーカーが、製造工程に有機金属気相成長法（MOCVD）を本格導入する時期に合わせて2012年の製品化を目指す。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステックからのお薦め
渾身の記事を直接お届け、2月24日に新サービス「フカメル」開始
9つの世界初を成し遂げた小惑星探査機「はやぶさ2」を深掘りする。裏側には、未踏に挑んだ10人のスペシャリストがいた。とっておきの10の物語を通して、「チームはやぶさ2」が奇跡を成し遂げた理由に迫る。
