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 2月2日まで開催されている「第25回IEEE MEMS国際会議(The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems)」では、豊田中央研究所から、エッチングに関する興味深い発表があった。”A DRIE Compensation Mask Pattern for Fabricating an Extremely Thick Comb Electrode”。DRIE(deep reactive ion etching)はMEMSの加工に欠かせないおなじみの技術。DRIEはSiを基本的には垂直に掘れる技術だが、実際やってみると、思った通りにならないことも多々ある。これを「異常エッチング」と呼ぶなら、私も大抵の「異常エッチング」を見てきた。

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